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一般析晶多發(fā)生在黏度為10³~10⁵Pa·s對應(yīng)的溫度范圍內(nèi)。玻璃的雜質(zhì)含量、OH含量、表面狀態(tài)、使用氣氛和加熱的燃料等是造成玻璃析晶（使玻璃轉(zhuǎn)變成方石英）的主要原因。析晶是一個(gè)以雜質(zhì)或不完善的表面為中心并不斷蔓延的核化過程。原料中含水或者結(jié)構(gòu)水（Si-OH）時(shí)，OH在高溫下以蒸汽的形式揮發(fā)出來，破壞玻璃結(jié)構(gòu)網(wǎng)絡(luò)，暴露出新表面，也會(huì)加速析晶。

析晶過程包括晶化形成和晶體生長兩個(gè)階段。通過均勻成核或者非均勻成核兩種過程形成晶化后，熔體中原子在適當(dāng)?shù)倪^冷度和過飽和度條件下，向界面遷移，進(jìn)入晶體生長階段。當(dāng)生長過程離開平衡態(tài)很小時(shí)，生長速度隨時(shí)冷度增大而增大；當(dāng)遠(yuǎn)離平衡時(shí)，生長速度隨原子擴(kuò)散速度增大而增大。

析晶過程主要受到過冷度、黏度、雜質(zhì)、界面能等因素的影響。過冷度大，析晶驅(qū)動(dòng)力大，但過冷度過大時(shí)，黏度變大，阻礙質(zhì)點(diǎn)擴(kuò)散，因此成核和生長所對應(yīng)的最佳過冷度不同，對于玻璃來說，成核對應(yīng)的過冷度要大于生長對應(yīng)的過冷度，這樣就會(huì)限制析晶發(fā)生。下圖為過冷度與晶核形成速率I和成大速達(dá)u的關(guān)系。

對于大多數(shù)硅酸鹽熔體和玻璃來說，成核曲線位于低溫區(qū)，生長曲線位于高溫區(qū)，當(dāng)熔體溫度下降時(shí)，首先經(jīng)過高溫區(qū)ac，這時(shí)沒有核，所以不會(huì)析晶；然后經(jīng)過交叉區(qū)cb，既有晶核有能生長，但是速度很低，析晶緩慢，只要冷卻速度足夠快，即可安全越過交叉區(qū)，不析晶或者少析晶；最后來到低溫區(qū)bd，雖然生成的晶核喝多，但是沒有生長條件，因此也不會(huì)析晶。如果再次加熱熔體冷凝成的玻璃，使之溫度達(dá)到晶體生長范圍，那么在冷卻過程中生成的晶化獲得生長條件，析晶的可能性大大增加。

析晶也分為失控型析晶和受控型析晶兩大類。對玻璃來說，失控型析晶是一種缺陷，使力學(xué)性能、光學(xué)性質(zhì)、熱穩(wěn)定性變差；但是受控型析晶則是通過誘導(dǎo)成核控制晶體生長，獲得微晶玻璃的方法。