在理想情況下，電路中電壓U與電流I之間的相位角是90°，由于介電損耗的存在U和I之間出現相位差角θ，它小于90°，即θ=90°-δ，因此作為電介質玻璃的功率損耗即介電損耗Q為：

Q=UIcos(90°-δ)=UIsinδ

當δ值很小時，sinδ≈tanδ≈δ，此δ角稱為介電損耗角，一般用tanδ或δ的大小表示介電損耗。

玻璃中的介電損耗按性質包括電導損耗、松弛損耗、結構損耗、共振損耗。

（1）電導損耗：電導損耗由網絡外體離子沿電場方向移動而產生。降低溫度或增大頻率可減小離子遷移而降低電導損耗。

（2）松弛損耗：松弛損耗由網絡外體離子在一定勢壘間隨電場做微小運動而產生。與電導損耗相比，松弛損耗出現在較高頻率處，當溫度升高時，它的極大值向高頻方向移動，而增大頻率時，則向高溫方向移動。

（3）結構損耗：結構損耗是由于玻璃網絡松弛變形而造成，它隨溫度和頻率而變化。

（4）共振損耗：共振損耗由網絡外體離子或網絡形成體的本征振動吸收能力所造成。這種損耗一般發生頻率大于10⁷Hz.

電導損耗和松弛損耗之和常稱為遷移損耗。在室溫以上，頻率在10⁶Hz以下，玻璃的介電損耗主要是遷移損耗，其大小主要決定于網絡外體離子的溶度、離子活動的程度和結構強度等，因此，在玻璃化學成分中凡是增大電導率的氧化物都會增大介電損耗。含有堿金屬氧化物的玻璃將具有較大的介電損耗，加入重金屬氧化物能降低含堿玻璃的介電損耗，其中尤以BaO、PbO、SrO較為顯著。

玻璃的介電損耗隨溫度的升高而增大，因溫度升高，結構網絡疏松，堿離子的活動能力增大，在20~80℃，玻璃的tanδ值增大4~6倍。

在高頻范圍內（＞10⁶Hz），玻璃的介電損耗隨頻率的增加而增大，例如在常溫1MHz時，硅酸鹽玻璃tanδ為9×10^-4，而在3000MHz時，則為36×10^-4。

熱處理同樣能對玻璃的介電損耗產生影響。從T_g以上溫度急冷的玻璃由于保存了高溫疏松的結構，所以其介電損耗比退火玻璃大。值得注意的是，在T_g以下仍與急冷溫度有關，這是在玻璃密度和折射率性質上沒有發現的。因此在T_g以下玻璃的介電損耗還與玻璃的熱歷史有關。

微晶玻璃的介電損耗比同成分的玻璃要小。